3P03L04-VB TO220一款Single-P沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 3P03L04-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 产品简介

3P03L04-VB是一款单P沟道MOSFET,采用TO220封装。具有-30V的漏源电压(VDS)和±20V的栅源电压(VGS),适用于负电压的功率管理和开关应用。采用Trench技术制造,具有高性能和可靠性。

### 详细参数说明

- **型号**: 3P03L04-VB
- **封装类型**: TO220
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 5mΩ @ VGS=4.5V
 - 4mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -100A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块

1. **电源开关**: 适用于各种负电压电源开关应用,如电源逆变器、电源开关和稳压器。在负电压环境下提供可靠的开关功能。

2. **汽车电子**: 可用于负电压电源开关和电动汽车电池管理系统中的功率控制。适用于汽车电子系统中的负电压需求。

3. **工业控制**: 用于工业控制系统中的电源管理和开关功能。满足工业环境下的需求。

4. **医疗设备**: 在一些医疗设备中,需要负电压的电源管理和开关功能,可用于这些应用中,确保设备的可靠性和稳定性。

5. **通信设备**: 在一些需要负电压电源的通信设备中,可用于功率管理和开关功能,确保设备的正常运行。

3P03L04-VB在各种需要负电压功率管理和开关功能的应用中具有广泛的应用前景,能够提供可靠的功率管理和控制功能。

--- 数据手册 ---