3PN06L03-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 3PN06L03-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 产品简介:

VBsemi 3PN06L03-VB是一款单N沟道场效应管,采用TO263封装,具有优异的性能。该器件工作电压(VDS)为60V,最大漏极电流(ID)可达270A,具有低导通电阻和高开关速度,适用于多种领域和模块的应用。

### 详细参数说明:

- 封装:TO263
- 结构:单N沟道
- 工作电压(VDS):60V
- 栅极-源极电压(VGS):±20V
- 阈值电压(Vth):3V
- 导通电阻(RDS(ON)):
 - @ VGS=4.5V: 7mΩ
 - @ VGS=10V: 2.5mΩ
- 最大漏极电流(ID):270A
- 技术:Trench

### 应用领域和模块举例:

1. **电源模块**:3PN06L03-VB具有低导通电阻和高漏极电流,适用于高性能电源模块,如服务器电源、通信电源等。

2. **电机驱动**:由于器件具有较低的导通电阻和高的漏极电流,可用于驱动大功率电机,如电动汽车、工业机械等。

3. **电源逆变器**:适用于电源逆变器模块,用于太阳能发电、风能发电等可再生能源系统。

4. **电动工具**:可用于电动工具驱动电路,如电动钻、电动锤等。

5. **汽车电子**:适用于汽车电子系统,如电动汽车控制器、电池管理系统等。

6. **工控设备**:用于工业控制设备,如PLC、变频器等。

以上是部分适用领域和模块的示例,3PN06L03-VB的高性能和可靠性使其在各种高功率、高效率的电路中得到广泛应用。

--- 数据手册 ---