4835GM-VB一款Single-P沟道SOP8的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 4835GM-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 产品简介

4835GM-VB是一款单通道P型MOSFET,采用先进的Trench技术设计,封装为SOP8。它具有负漏极-30V的额定电压和高效能的特性,适用于需要低电阻和高电流承载能力的电子应用。

### 详细参数说明

- **封装**:SOP8
- **配置**:Single-P-Channel
- **漏源电压 (VDS)**:-30V
- **栅源电压 (VGS)**:20(±V)
- **开启电压 (Vth)**:-1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 24mΩ @ VGS=4.5V
 - 18mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**:-9A
- **技术**:Trench

### 应用领域及模块

4835GM-VB适用于多种电子应用,特别是在需要P型MOSFET进行功率控制和开关的场合:

1. **电源逆变器**:在电源逆变器中,4835GM-VB可用于高效能的电能转换和电路控制,例如太阳能逆变器和电池逆变器系统。

2. **电动工具和电动车**:作为P型MOSFET,4835GM-VB适合用于电动工具和电动车辆的电池管理系统,能够有效地进行功率调节和电流控制。

3. **电动航模**:在模型飞行器和航模中,4835GM-VB可以用作电池管理和电机控制的关键部件,确保飞行器的高效能量转换和稳定性能。

4. **便携式电子设备**:由于其小封装和高功率处理能力,4835GM-VB适用于便携式电子设备中的电源管理和电池控制,提供长时间的使用时间和高效的能量管理。

5. **工业控制系统**:在工业自动化和控制系统中,4835GM-VB可用作开关电源和电机驱动的关键组件,确保设备的稳定运行和精确控制。

4835GM-VB MOSFET通过其高性能特征和适用于多种应用领域的设计,为电子设备和系统提供了灵活和可靠的功率管理解决方案。

--- 数据手册 ---