4N0406-VB TO263一款Single-N沟道TO263的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 4N0406-VB TO263
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 产品简介

4N0406-VB是一款单通道N型MOSFET,采用Trench技术设计,封装为TO263。它具有40V的漏源电压额定值,适用于需要中等功率和高效能转换的电子应用。

### 详细参数说明

- **封装**:TO263
- **配置**:Single-N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**:40V
- **栅源电压 (VGS)**:20(±V)
- **开启电压 (Vth)**:2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 6mΩ @ VGS=4.5V
 - 5mΩ @ VGS=10V
- **连续漏极电流 (ID)**:100A
- **技术**:Trench

### 应用领域及模块

4N0406-VB适用于多种中等功率电子应用,例如:

1. **电源管理**:作为电源管理模块中的开关器件,4N0406-VB能够提供高效的功率转换和低损耗的电源控制,适用于电源适配器、电源供应单元等设备。

2. **电动工具**:在电动工具中,特别是需要高功率输出和长时间运行的应用中,4N0406-VB可以作为电机驱动器,确保设备的高效能驱动和稳定运行。

3. **电动汽车**:作为电动汽车电池管理系统的一部分,4N0406-VB能够支持电动汽车的高效能动力输出和电池管理,提升车辆的续航能力和驾驶性能。

4. **工业控制**:在工业自动化领域中,4N0406-VB可用于控制系统中的开关和电源管理,支持各种自动化设备和系统的稳定运行和高效能控制。

通过其高漏源电压、低导通电阻和高连续电流能力,4N0406-VB适用于需要中等功率和高效能转换的多种电子设备和系统。

--- 数据手册 ---