4N60KL-VB一款Single-N沟道TO220F的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 4N60KL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 一、4N60KL-VB 产品简介

4N60KL-VB是一款单N沟道MOSFET,采用TO220F封装。该产品具有高压耐受性和稳定性,适用于需要高电压和中小功率的电源开关和控制应用。其采用平面型技术,适合于一般工业和消费电子应用。

### 二、4N60KL-VB 详细参数说明

- **封装类型**:TO220F
- **配置**:单N沟道
- **漏极-源极电压 (VDS)**:650V
- **栅极-源极电压 (VGS)**:±30V
- **阈值电压 (Vth)**:3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:2560mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**:4A
- **技术**:平面型 (Plannar)

### 三、适用领域和模块举例

4N60KL-VB MOSFET 在以下领域和模块中具有适用性:

1. **电源开关**:
  - 在低功率电源开关电路中,如适配器和电源管理模块中,4N60KL-VB可用于开关控制和电压调节,提供稳定的电力输出。

2. **照明应用**:
  - 在LED驱动电路和照明控制系统中,该MOSFET可以作为开关电源的一部分,用于灯具的开关和调光控制,提高能效和延长灯具寿命。

3. **工业控制**:
  - 在工业自动化设备中,如电机驱动器和电源控制器中,4N60KL-VB可以用于低频开关和电源管理,确保设备的高效运行和长期可靠性。

4. **消费电子**:
  - 在家电产品中,如电视机和音响设备的电源控制模块中,该MOSFET可以帮助实现节能和环保的电力管理策略。

5. **通信设备**:
  - 在基站和通信网络设备中,4N60KL-VB可用于电源开关和稳压电路,提供稳定的电力供应,确保通信设备的持续运行和性能稳定性。

这些应用示例展示了4N60KL-VB MOSFET在中小功率和高电压环境下的适用性,适合于多种工业和消费电子领域的电力控制和管理需求。

--- 数据手册 ---