### 产品简介
**型号：5HP02M-VB**
5HP02M-VB是一款单P沟道功率MOSFET，采用SC70-3封装。它具有负漏极-源极电压能力和适合低功率应用的特性。
### 详细参数说明
- **封装类型（Package）**：SC70-3
- **配置（Configuration）**：单P沟道（Single-P-Channel）
- **漏源电压（VDS）**：-60V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：-1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 5000mΩ @ VGS=4.5V
- 4000mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：-0.135A （负值表示漏极到源极的电流）
- **技术（Technology）**：Trench
### 应用领域和模块示例
5HP02M-VB适用于多种低功率应用，以下是一些典型的应用示例：
1. **移动设备（Mobile Devices）**：
- 在手机、平板电脑和便携式电子设备中，用作低功耗开关和电源管理器件，以延长电池寿命并提高能效。
2. **电池保护（Battery Protection）**：
- 在充电电路和电池管理系统中，用于保护电池免受过电流和短路的损害，确保电池安全和长寿命。
3. **信号开关（Signal Switching）**：
- 在低频信号处理和信号开关电路中，用作信号路由和开关控制器，保持信号传输的清晰和可靠性。
4. **传感器接口（Sensor Interface）**：
- 在传感器接口电路中，作为传感器信号处理和放大的前端电路，确保传感器数据的准确采集和处理。
5. **便携式电子设备（Portable Electronics）**：
- 在便携式音频设备、电子玩具和智能穿戴设备中，用于功率开关和低功耗模式控制，优化设备的能效和性能。
5HP02M-VB的设计和特性使其成为低功率应用中的理想选择，能够提供可靠的性能和高效的能源管理解决方案。