5LN01C-TB-E-VB一款Single-N沟道SOT23-3的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 5LN01C-TB-E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 5LN01C-TB-E-VB SOT23-3 MOSFET 产品简介

5LN01C-TB-E-VB 是一款单N沟道MOSFET,采用SOT23-3封装。该器件适用于低功率应用,具有60V的漏极-源极电压(VDS),栅极电压(VGS)为±20V,阈值电压(Vth)为1.7V。采用Trench技术,尽管导通电阻(RDS(ON))较高,分别为3100mΩ @ VGS=4.5V 和 2800mΩ @ VGS=10V,但能提供最大0.3A的漏极电流(ID),适合于需要低功耗和小电流驱动的场合。

### 5LN01C-TB-E-VB SOT23-3 MOSFET 详细参数说明

| 参数      | 值                             |
|-----------|--------------------------------|
| 封装      | SOT23-3                         |
| 配置      | 单N沟道                         |
| 漏极-源极电压 (VDS) | 60V                            |
| 栅极电压 (VGS) | ±20V                           |
| 阈值电压 (Vth) | 1.7V                           |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=4.5V | 3100mΩ                         |
| 导通电阻 (RDS(ON)) @ VGS=10V  | 2800mΩ                         |
| 漏极电流 (ID) | 0.3A                           |
| 技术      | Trench                         |

### 5LN01C-TB-E-VB SOT23-3 MOSFET 的应用领域和模块举例

#### 应用领域
1. **低功耗电子设备**:如便携式消费电子产品,如智能手机和平板电脑中的电源管理和电池保护。
2. **传感器接口**:用于传感器信号放大和接口电路,确保低噪声和稳定的传感器操作。
3. **电源开关**:在低电流负载和小型电源开关电路中,提供基本的开关功能和电流控制。

#### 模块举例
1. **便携式电子模块**:适用于各种便携式电子产品中的小功率开关电路,如手持设备的电池管理和充放电控制。
2. **传感器接口模块**:用于连接和驱动各种传感器的接口电路,保证稳定的传感器工作并最大程度地减少功耗。

5LN01C-TB-E-VB SOT23-3 MOSFET 由于其小尺寸、低功耗和适中的电流能力,是许多需要小型化和低功耗设计的电子设备和模块的理想选择。

--- 数据手册 ---