6R280C6-VB TO220一款Single-N沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 6R280C6-VB TO220
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介详细:

型号:6R280C6-VB  
封装:TO220  
配置:单N沟道  
耐压(VDS):650V  
栅极-源极电压(VGS):±30V  
阈值电压(Vth):3.5V  
导通电阻(RDS(ON)):160mΩ @ VGS=10V  
漏极电流(ID):20A  
技术:SJ_Multi-EPI  

### 2. 详细的参数说明:

- **型号**:6R280C6-VB
- **封装**:TO220
- **配置**:单N沟道
- **耐压(VDS)**:650V
- **栅极-源极电压(VGS)**:±30V
- **阈值电压(Vth)**:3.5V
- **导通电阻(RDS(ON))**:160mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流(ID)**:20A
- **技术**:SJ_Multi-EPI

### 3. 适用领域和模块示例:

6R280C6-VB MOSFET适用于多种高压应用场合,以下是一些示例说明其适用性:

- **电源开关**:在电源开关电路中,6R280C6-VB 可以提供可靠的开关性能和较低的导通电阻,适合用于工业和通信设备的电源管理系统中。

- **电动车电池管理**:作为电动车电池管理系统的一部分,这款MOSFET可以处理高电压和高电流,确保电池充放电的高效率和稳定性。

- **电焊设备**:在电焊设备中,需要处理高电流和频繁的开关操作,6R280C6-VB 可以提供所需的高功率处理能力。

- **UPS(不间断电源)**:作为UPS系统中的关键组件,确保在主电源故障时提供稳定的备用电源转换。

这些示例突显了6R280C6-VB MOSFET在多个领域中的应用潜力,表明其在高功率、高压环境中的优越性能和广泛适用性。

--- 数据手册 ---