### 产品简介详述：
VBsemi MOSFET型号 6R280E6-VB，采用TO247封装，是单通道N沟道MOSFET。其主要特性包括650V的漏极-源极电压（VDS），30V的栅极-源极电压（VGS，可正负），3.5V的阈值电压（Vth），以及在VGS=10V时的导通电阻（RDS(ON)）为300mΩ。其最大漏极电流（ID）为15A，采用SJ_Multi-EPI技术。
### 详细参数说明：
- **封装类型：** TO247
- **沟道类型：** 单N沟道
- **漏极-源极电压（VDS）：** 650V
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±30V
- **阈值电压（Vth）：** 3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 300mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）：** 15A
- **技术：** SJ_Multi-EPI
### 应用举例：
1. **电力逆变器：** 6R280E6-VB适用于电力逆变器中的高压开关电路，能够在高功率转换中提供低导通电阻和高效率的性能，确保系统稳定运行和能效优化。
2. **工业电源：** 在工业电源系统中，这款MOSFET可用于各种开关电源单元和逆变器，支持从高压直流到交流的转换，满足工业设备对电力质量和可靠性的苛刻要求。
3. **太阳能逆变器：** 在太阳能发电系统的逆变器中，6R280E6-VB能够处理大电流和高电压，通过其高效的导通特性帮助提高太阳能电池板的能量转换效率。
4. **电动车充电器：** 在电动车充电器中，6R280E6-VB可以用于充电桥接电路，确保高效率和可靠性，同时适应电动车对高功率和频率的要求。
通过这些应用示例，6R280E6-VB展示了其在高压、高功率应用中的广泛适用性和优异性能，为现代能源和电力转换系统提供关键的功率管理解决方案。