### 产品简介：
MOSFET型号：76609D-VB
封装：TO251
配置：单N沟道
耐压（VDS）：100V
栅极-源极电压（VGS）：±20V
阈值电压（Vth）：1.8V
导通电阻（RDS(ON)）：110mΩ @ VGS=10V
漏极电流（ID）：15A
技术：Trench
### 参数说明：
- **封装类型（Package）：** TO251，适合中等功率密度的应用，具有较小的封装尺寸和良好的散热性能。
- **配置（Configuration）：** 单N沟道，适用于功率开关和电源控制电路设计。
- **耐压（VDS）：** 100V，适合处理中高压电路的需求，如电源管理、马达控制等应用。
- **栅极-源极电压（VGS）：** ±20V，支持广泛的栅极驱动电压范围，灵活应对不同的控制电路设计。
- **阈值电压（Vth）：** 1.8V，设定了启动MOSFET导通的门电压。
- **导通电阻（RDS(ON)）：** 110mΩ @ VGS=10V，表现出较低的导通电阻，有助于减少功耗和提升效率。
- **漏极电流（ID）：** 15A，适合中等功率应用，能够处理相对较高的电流负载。
- **技术特性（Technology）：** Trench，采用沟道（Trench）结构，提升了器件的开关速度和可靠性。
### 应用示例：
1. **电源转换器：** 76609D-VB可用于开关电源、DC-DC转换器和逆变器中，提供高效的能量转换和稳定的输出电压。
2. **电动工具：** 在电动工具的电机控制电路中，该MOSFET作为开关元件，能够实现高效的电动工具操作和能量回馈。
3. **电动车辆充电系统：** 在电动汽车和电动车辆充电设备中，76609D-VB可以用于电池管理系统和充电控制电路，确保充电过程稳定和高效。
76609D-VB结合了较低的导通电阻和适中的功率处理能力，适用于需要中等功率密度和可靠性能的各种功率电子应用领域。