80N06LG-VB TO262一款Single-N沟道TO262的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 80N06LG-VB TO262
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 80N06LG-VB MOSFET 产品简介

80N06LG-VB是一款低压单N沟道MOSFET,采用TO262封装,适用于需要高电流承载和低导通电阻的电子设备应用。该器件具有低漏极电压、优异的导通特性和可靠的开关性能,适合于高功率和高效能的电源管理和开关控制。

### 80N06LG-VB 详细参数说明

- **封装类型 (Package)**: TO262
- **配置 (Configuration)**: 单N沟道 (Single-N-Channel)
- **漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 6mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 120A
- **技术 (Technology)**: Trench

### 适用领域和模块应用示例

80N06LG-VB MOSFET适用于以下各种领域和模块中:

1. **电动工具**: 在高性能电动工具中,如电动锤、电动钻等,用于提供高效能和高功率输出的电源管理和电机控制。

2. **电动车辆**: 作为电动车辆的电机驱动器,能够处理高电流和频繁的开关操作,确保电动车辆的高效能和长时间运行。

3. **电源模块**: 在高功率电源模块中,如服务器电源单元和工业电源设备中,用于提供稳定的电流输出和低压降的电源管理。

4. **工业控制**: 在工业自动化和控制系统中,用于开关电源、电动机控制和变频器应用,确保系统的稳定运行和高效能输出。

5. **电源逆变器**: 在太阳能和风能发电系统中,用于逆变和管理电能转换,提高系统的整体效率和可靠性。

80N06LG-VB MOSFET因其低导通电阻、高电流承载能力和优异的开关特性,是工程师们设计高功率电子设备时的理想选择。

--- 数据手册 ---