### 一、产品简介
VBsemi 7N60L-TF2-T-VB 是一款单N沟道MOSFET，采用TO220F封装，设计用于高压和高性能电源管理和开关电路应用。具有优异的耐压特性和低导通电阻，适合在需要高效能和可靠性的电子设备和系统中使用。
### 二、详细参数说明
- **型号**: 7N60L-TF2-T-VB
- **封装**: TO220F
- **配置**: 单N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 650V
- **最大栅源电压 (VGS)**: 30V (±)
- **阈值电压 (Vth)**: 3.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 830mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 10A
- **技术**: Planar
### 三、适用领域和模块
1. **电源转换器**
7N60L-TF2-T-VB 适用于各种电源转换器和开关电源应用。其高耐压和低导通电阻特性使其能够有效控制高压和大电流，提高电源系统的效率和稳定性。
2. **电动车充电器**
在电动车充电器中，该MOSFET可以用作关键的开关元件，用于电池充电控制电路。其高电流处理能力和低导通电阻确保了充电过程的高效率和电池的安全性。
3. **工业电机驱动器**
在工业电机驱动器中，7N60L-TF2-T-VB 可以用于电机控制和速度调节。其能够处理高电压和大电流的要求，保证了工业设备的高性能和长期稳定运行。
4. **UPS系统**
对于不间断电源系统（UPS），该器件可以用于稳定电源输出和保护关键设备。其高功率处理能力和可靠性确保了电力供应的连续性和稳定性。
综上所述，VBsemi 7N60L-TF2-T-VB 是一款性能卓越的单N沟道MOSFET，适用于各种高压和高电流应用，包括电源管理、电动车充电器、工业电机驱动器和UPS系统等领域。