### 产品简介
7N95K3-VB是一款单N沟道功率MOSFET，采用TO220F封装，适用于高电压和中功率应用。该器件采用SJ_Multi-EPI技术，结合了多重外延（Multi-EPI）工艺的优势，具有高漏源电压能力和稳定的性能特征，适合各种需要高耐压和可靠性的电力电子设计。
### 详细参数说明
- **型号**：7N95K3-VB
- **封装**：TO220F
- **配置**：单N沟道
- **漏源电压（VDS）**：900V
- **栅源电压（VGS）**：±30V
- **阈值电压（Vth）**：3.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：770mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流（ID）**：7A
- **技术**：SJ_Multi-EPI（多重外延）
### 应用领域和模块举例
1. **电源管理**
- **开关电源**：适用于需要高电压和高效能的开关电源系统，如工业设备的电源转换和稳定。
- **UPS系统**：作为不间断电源系统中的关键组件，确保在电网故障时提供稳定的备用电力。
2. **工业电力控制**
- **电力传输设备**：用于电力传输系统中的功率开关和保护装置，确保电网的稳定运行和电力负荷分配。
- **电动工具**：在高性能电动工具中的电机控制和功率管理。
3. **太阳能逆变器**
- **太阳能发电系统**：适用于太阳能逆变器中，将太阳能电池板产生的直流电转换为交流电，供电给家庭和商业建筑。
4. **医疗设备**
- **X射线发生器**：在医疗领域中，用于X射线发生器中的高压电源控制和调节。
7N95K3-VB以其高漏源电压、低导通电阻和多重外延技术的优势，适合于需要高效能和高可靠性的电力电子应用，为各种高功率设备提供稳定的电力控制和管理解决方案。