91180E-VB一款Single-N沟道SOT669的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 91180E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介:

VBsemi MOSFET 91180E-VB 是一款高性能的单通道N沟道场效应管,采用沟道技术制造。其设计优化了导通电阻和电流处理能力,适用于要求高效率和可靠性的电源和开关应用。

### 2. 参数说明:

- **型号:** 91180E-VB
- **封装:** SOT669
- **通道类型:** 单N沟道
- **耐压(VDS):** 80V
- **栅极-源极电压(VGS):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** 1.4V
- **导通电阻(RDS(ON)):** 
 - 7.2mΩ @ VGS=4.5V
 - 6mΩ @ VGS=10V
- **最大电流(ID):** 90A
- **技术:** 沟道技术(Trench)

### 3. 应用示例:

91180E-VB MOSFET 适用于以下领域和模块:

- **电源转换器:** 在低至中功率的直流-直流(DC-DC)电源转换器中,91180E-VB 可以通过其低导通电阻和高电流处理能力提供高效率和稳定的电压转换。

- **电动工具和电动汽车:** 由于其高电流能力和相对较高的耐压特性,91180E-VB 在电动工具和电动车辆中作为电机驱动器的开关元件,能够有效地管理电动力传输并提高能源利用率。

- **电源管理模块:** 在工业控制和自动化系统中,91180E-VB 可以用作电源管理模块中的开关器件,帮助实现高效能的电源管理和能耗优化。

这些应用示例展示了91180E-VB MOSFET 的广泛适用性和能力,能够满足各种需要高功率密度和可靠性的应用需求。

--- 数据手册 ---