97280E-VB一款Single-N沟道SOT669的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: 97280E-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 96N3LLH6-VB MOSFET

#### 一、产品简介
96N3LLH6-VB 是一款高性能单N沟道MOSFET,采用先进的Trench技术制造。其封装为TO252,具有优秀的热特性和高功率密度,适用于需要高效能和高功率处理能力的各种电子应用。

#### 二、详细的参数说明

- **型号**: 96N3LLH6-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N沟道
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 3mΩ @ VGS=4.5V
 - 2mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench

#### 三、应用领域和模块实例

96N3LLH6-VB MOSFET 在以下领域和模块中具有广泛的应用:

1. **电源管理**:适用于高效的开关电源、DC-DC转换器和AC-DC逆变器设计。其低导通电阻和高电流处理能力使其能够在高功率密度和高效能要求的电源系统中表现出色。

2. **电动工具**:作为电动工具中的电源开关和电机驱动器,如电动汽车充电桩、电动工具和电动车辆中的电机控制器。其能够提供稳定的功率输出和快速的开关响应。

3. **电动汽车**:用于电动汽车的电池管理系统、电机驱动器和功率逆变器中。96N3LLH6-VB 的高电流容忍和低导通电阻使其成为电动汽车电子系统中关键的组成部分。

4. **工业自动化**:在工业控制设备、机器人和自动化系统中,用作电力电子开关和电流调节器。适用于需要高功率处理和可靠性的工业应用场景。

96N3LLH6-VB 结合了先进的Trench技术和优异的电性能,为各种需要高功率密度和可靠性的电子设备和系统提供了可靠的解决方案。

--- 数据手册 ---