AM90P10-30P-VB一款Single-P沟道TO220的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AM90P10-30P-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 产品简介

AM90P10-30P-VB是一款单P沟道MOSFET,采用Trench技术,封装形式为TO220。具有负漏源极电压承受能力和低导通电阻特性,适用于需要高性能电源管理和开关控制的应用场合。

### 详细参数说明

- **型号**: AM90P10-30P-VB
- **封装**: TO220
- **配置**: 单P沟道
- **漏源极电压 (VDS)**: -100V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: -2V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
 - 37mΩ @ VGS=4.5V
 - 33mΩ @ VGS=10V
- **漏极电流 (ID)**: -50A
- **技术**: Trench

### 应用领域和模块示例

AM90P10-30P-VB适用于多种需要负漏源极电压、高电流的应用场景,以下是几个主要的应用领域和模块示例:

1. **电动车充电保护**: 在电动车和电动工具的充电保护电路中,AM90P10-30P-VB可以用作负载开关器件,实现快速切换和高效能的充电管理。

2. **电源逆变器**: 在需要负电压开关和高功率转换的电源逆变器中,该MOSFET可以用于高频开关电路,提供低损耗和高效率的电能转换。

3. **电源管理模块**: 在需要负电压电源管理的应用中,如医疗设备和工业控制系统的电源模块,AM90P10-30P-VB能够提供稳定的负电压控制和高电流承受能力。

4. **电池保护电路**: 在需要对电池充放电进行精确控制和保护的应用中,例如电动工具、便携式电子设备和太阳能电池系统,该MOSFET能够有效地管理电流和保护电池健康。

由于其特有的负漏源极电压能力、低导通电阻和可靠的热管理能力,AM90P10-30P-VB在现代电子设备和高性能电源管理系统中具有广泛的应用前景,能够提升系统的能效和可靠性。

--- 数据手册 ---