APM3195PUC-TRL-VB一款Single-P沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: APM3195PUC-TRL-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 1. 产品简介详述:

APM3195PUC-TRL-VB是一款单P沟道场效应管(MOSFET),采用了Trench技术制造,封装形式为TO252。它具有低导通电阻和较高的电流处理能力,适用于低至中功率的电子设备和电源管理应用,特别是在需要P沟道MOSFET的电路中表现出色。

### 2. 详细参数说明:

- **包装形式:** TO252
- **VDS(漏极-源极电压):** -30V
- **VGS(栅极-源极电压):** ±20V
- **阈值电压(Vth):** -1.7V
- **静态漏极-源极电阻(RDS(ON)):**
 - 46mΩ @ VGS = 4.5V
 - 33mΩ @ VGS = 10V
- **漏极电流(ID):** -38A
- **技术类型:** Trench

### 3. 应用示例:

该产品适用于以下领域和模块:

- **电源管理:** 在低至中功率的电源管理系统中,APM3195PUC-TRL-VB可以用作负载开关和电源控制器,适用于便携式设备、消费电子产品和工业控制系统中的高效电源转换和稳压。

- **电池管理系统:** 在电动工具、电动自行车和电动滑板车等设备的电池管理系统中,该MOSFET可以用于电池保护、充放电控制和节能管理,确保电池的安全性和长寿命。

- **车载电子:** 在汽车电子系统中,如电动车辆的电源管理和车内电气设备控制系统中,APM3195PUC-TRL-VB能够提供高效的功率转换和稳定的电源管理,满足汽车电子系统的需求。

- **消费类电子产品:** 在智能家居设备、便携式电源和个人电子设备中,该MOSFET可以用于电源开关和电源管理,提供可靠的电能管理和高效的功率转换。

这些示例展示了APM3195PUC-TRL-VB在低至中功率电子设备和电源管理系统中的广泛应用,其优良的电气特性和高效的功率管理能力使其成为多种应用场景的理想选择。

--- 数据手册 ---