AUIRFR3710ZTRR-VB一款Single-N沟道TO252的MOSFET晶体管参数介绍与应用说明

型号: AUIRFR3710ZTRR-VB
品牌: VBsemi(微碧)

--- 产品参数 ---

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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

**产品简介:**

AUIRFR3710ZTRR-VB 是一款单个 N 沟道场效应晶体管(MOSFET),封装类型为 TO252。此 MOSFET 具有高压和低导通电阻的特点,适用于各种高性能开关和电源管理应用。

**详细参数说明:**

- **封装**: TO252
- **配置**: 单个 N 沟道
- **漏源极耐压 (VDS)**: 100V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 
 - 10.5mΩ @ VGS = 4.5V
 - 8.5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 85A
- **技术**: 沟槽技术(Trench)

**应用领域及模块示例:**

1. **电源开关**: 由于其低 RDS(ON) 和高耐压特性,AUIRFR3710ZTRR-VB 适用于高效能的 DC-DC 转换器和电源管理模块,有助于提升系统的能效和减少功耗。
  
2. **电动汽车驱动**: 在电动汽车的电机驱动电路中,该 MOSFET 可以用作电流开关,以优化功率传输效率和系统性能。
  
3. **高频开关电源**: 其低导通电阻使其适合用于高频开关电源设计中,能够有效减少开关损耗,提高整体电源效率。

--- 数据手册 ---