### 产品简介
AUIRFR3806-VB 是一款采用 TO252 封装的单极性 N 沟道 MOSFET。它具有高达 60V 的漏源电压和 58A 的连续漏电流能力。该 MOSFET 使用了 Trench 技术，具有低 RDS(ON) 值，适用于各种高性能开关应用。
### 参数说明
- **型号**：AUIRFR3806-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单极性 N 沟道 MOSFET
- **漏源电压 (VDS)**：60V
- **栅源电压 (VGS)**：20V (±)
- **栅源阈值电压 (Vth)**：2.5V
- **RDS(ON)**：13mΩ (VGS = 4.5V)，10mΩ (VGS = 10V)
- **漏电流 (ID)**：58A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块
AUIRFR3806-VB 的高导通能力和低 RDS(ON) 值使其适用于高功率开关、直流-直流转换器和电源管理系统。例如，在电动汽车的电源模块中，这种 MOSFET 可以用于高效率的电源开关；在计算机电源供应中，它可以用于提高开关效率和降低功耗；在工业电源应用中，它能够实现高电流负载下的稳定性能。