### 产品简介
**AUIRFR4104TRR-VB** 是一款高性能的单N通道MOSFET，采用TO252封装，具有优异的开关特性和低导通电阻。其最大漏极源极电压（VDS）为40V，门源极电压（VGS）范围为±20V。该MOSFET具有2.5V的门槛电压（Vth），在VGS=4.5V时导通电阻（RDS(ON)）为6mΩ，在VGS=10V时RDS(ON)为5mΩ。该器件支持85A的最大连续漏极电流（ID），采用Trench技术制造，适用于高效能和低功耗应用场景。
### 参数说明
- **型号**: AUIRFR4104TRR-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **最大漏极源极电压（VDS）**: 40V
- **最大门源极电压（VGS）**: ±20V
- **门槛电压（Vth）**: 2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **最大连续漏极电流（ID）**: 85A
- **技术**: Trench
### 适用领域和模块示例
1. **电源管理**: 该MOSFET广泛应用于电源开关模块，特别是在高电流和低功耗的电源转换电路中，由于其低导通电阻能够显著提高转换效率并减少功耗。
2. **电动汽车**: 在电动汽车的电池管理系统中，AUIRFR4104TRR-VB的高电流承载能力和低导通电阻使其成为理想选择，能够有效控制电池充放电过程中的电流流动。
3. **LED驱动**: 适用于LED驱动电路中，能够提供稳定的电流以保证LED的正常工作，并且减少由于开关损耗引起的热量生成。
4. **DC-DC转换器**: 在DC-DC转换器中，MOSFET的低RDS(ON)特性能够提高转换效率，降低能量损失，适合用于高效率的开关电源设计中。
5. **功率放大器**: 在功率放大器模块中，AUIRFR4104TRR-VB可用于高功率信号的开关控制，优化功率传输并提高系统的整体性能。