**产品简介：**
AUIRFR4620TRPBF-VB 是一款单 N 沟道 MOSFET，封装为 TO252。该 MOSFET 具有高耐压和适中的导通电阻，非常适合用于高压开关和功率管理应用中，尤其是在要求高电流和高电压的环境下。
**详细参数说明：**
- **封装**: TO252
- **配置**: 单 N 沟道
- **漏源极耐压 (VDS)**: 200V
- **栅源极电压 (VGS)**: ±20V
- **栅极阈值电压 (Vth)**: 3V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 55mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏极电流 (ID)**: 30A
- **技术**: 沟槽技术（Trench）
**应用领域及模块示例：**
1. **高压电源管理**: 由于其200V的漏源极耐压，AUIRFR4620TRPBF-VB 适用于高压电源管理系统，如高压电源转换器或电源保护电路，有助于提高系统稳定性和安全性。
2. **电动汽车充电器**: 在电动汽车的充电系统中，该 MOSFET 可以用于高电压和高电流的开关应用，优化充电效率并确保安全可靠的充电过程。
3. **工业电源**: 该 MOSFET 适合在工业电源系统中使用，特别是在需要处理高电压和大电流的环境中，例如工业电机控制和高压变换器应用。