### 产品简介
AUIRFR5305TR-VB 是一款采用 TO252 封装的单极性 P 沟道 MOSFET，具备高达 -60V 的漏源电压和 -50A 的连续漏电流能力。它采用了 Trench 技术，具有低 RDS(ON) 值，适合于需要高开关效率的应用场景。
### 参数说明
- **型号**：AUIRFR5305TR-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单极性 P 沟道 MOSFET
- **漏源电压 (VDS)**：-60V
- **栅源电压 (VGS)**：20V (±)
- **栅源阈值电压 (Vth)**：-1.7V
- **RDS(ON)**：25mΩ (VGS = 4.5V)，20mΩ (VGS = 10V)
- **漏电流 (ID)**：-50A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块
AUIRFR5305TR-VB 的高电流能力和低 RDS(ON) 值使其非常适合用于高功率开关和负载开关应用。例如，在负载开关模块中，它能够提供低导通电阻，降低功耗；在逆变器和电源管理系统中，它可以有效提升开关效率，保证系统稳定性；在电池管理系统中，它能够高效地控制电流流向，优化电池的充放电过程。