**产品简介：**
AUIRFR5410-VB 是一款高性能单P沟道MOSFET，采用TO-252封装，专为高电压和高电流应用设计。它具有-100V的漏源电压（VDS）和-8.8A的连续漏极电流（ID）。该MOSFET利用Trench技术，具有在VGS=4.5V下导通电阻为280mΩ，在VGS=10V下为250mΩ的特点，适用于高效开关和功率控制应用。
**详细参数说明：**
- **封装**: TO-252
- **配置**: 单P沟道
- **漏源电压（VDS）**: -100V
- **栅源电压（VGS）**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: -2V
- **导通电阻（RDS(ON)）**:
- 280mΩ @ VGS = 4.5V
- 250mΩ @ VGS = 10V
- **连续漏极电流（ID）**: -8.8A
- **技术**: Trench
**应用领域与模块举例：**
1. **负载开关**: AUIRFR5410-VB 在负载开关应用中提供高效的电源管理，适合用于各种电源开关模块。
2. **逆变器电路**: 该MOSFET的高耐压和低导通电阻特性，使其在逆变器电路中表现优异，支持高效的电力转换。
3. **功率管理**: 在功率管理系统中，AUIRFR5410-VB 能够有效控制电源流量，优化系统性能。
4. **电池保护电路**: 由于其高电流处理能力和良好的导通特性，这款MOSFET适用于电池保护电路，防止过流和过压情况。