### 一、产品简介
**AUIRFU4615-VB**是一款高性能的单N沟道功率MOSFET，采用TO251封装，适用于多种功率管理和开关应用。其主要特点包括200V的漏源电压（VDS）、±20V的栅源电压（VGS）、3V的阈值电压（Vth），以及在VGS为10V时只有56mΩ的导通电阻（RDS(ON)）。此型号MOSFET采用先进的Trench技术，提供了更低的导通损耗和更高的效率。它可以承受高达25A的连续漏极电流（ID），非常适合高电流、高效率的应用场景。
### 二、详细参数说明
1. **型号：** AUIRFU4615-VB
2. **封装：** TO251
3. **配置：** 单N沟道
4. **漏源电压（VDS）：** 200V
5. **栅源电压（VGS）：** ±20V
6. **阈值电压（Vth）：** 3V
7. **导通电阻（RDS(ON)）：** 56mΩ @ VGS=10V
8. **连续漏极电流（ID）：** 25A
9. **技术：** Trench
### 三、适用领域和模块举例
**AUIRFU4615-VB** MOSFET在电动汽车、太阳能逆变器、工业电源和通信设备中有广泛的应用。在电动汽车领域，这款MOSFET可以用于电机控制模块，为电动机提供高效的电源管理和控制，提升电动车的整体性能和续航能力。在太阳能逆变器中，它可以用于DC-DC转换器，提高能量转换效率，降低损耗。在工业电源方面，它适合用于开关电源模块，为各种工业设备提供稳定高效的电源供应。在通信设备中，它可以用于功率放大器模块，提升信号传输的稳定性和效率。通过其高性能和可靠性，AUIRFU4615-VB MOSFET能在这些领域发挥关键作用，确保设备的高效运行和长久耐用。