### 一、IPP80CN10N G-VB 产品简介
IPP80CN10N G-VB 是一款高性能的单N沟道MOSFET，封装形式为TO220。这款MOSFET采用了先进的Trench技术，具有100V的击穿电压和非常低的导通电阻，适用于要求高效能和高电流的电源管理应用。其低导通电阻在不同的栅极电压下提供了优秀的电流传输性能，使其在各种功率转换和控制电路中表现出色。
### 二、IPP80CN10N G-VB 详细参数说明
- **封装类型**：TO220
- **配置**：单N沟道
- **击穿电压 (VDS)**：100V
- **栅极驱动电压 (VGS)**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：1.8V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 36mΩ @ VGS = 10V
- 38mΩ @ VGS = 4.5V
- **漏极电流 (ID)**：55A
- **技术**：Trench
- **工作温度范围**：-55°C 至 +150°C
### 三、应用领域和模块
1. **开关电源 (SMPS)**：IPP80CN10N G-VB 由于其低导通电阻和高电流能力，非常适合用作开关电源中的开关元件。在这种应用中，它能够提供高效的电流转换，减少功率损耗。
2. **电动机驱动系统**：在电动机驱动系统中，该MOSFET 能够处理较高的电流，并提供可靠的开关控制。其高电流能力使其适用于工业电动机和其他高功率电动机应用。
3. **DC-DC转换器**：对于DC-DC转换器，IPP80CN10N G-VB 的低导通电阻有助于提高转换效率，并减少功率损耗。这使其成为高效能电压转换系统的理想选择。
4. **电池管理系统 (BMS)**：在电池管理系统中，这款MOSFET 的高电流承载能力和低导通电阻确保了稳定的充电和放电控制，提升了系统的整体性能和安全性。
5. **不间断电源 (UPS)**：在UPS系统中，IPP80CN10N G-VB 能够处理高电流和高功率要求，其低导通电阻有助于提高UPS系统的效率和可靠性，确保电力中断时提供持续的电力供应。