**产品简介：**
J387-VB是一款高效能的单P通道MOSFET，采用TO252封装，专为低电压和高电流应用设计。其漏源电压（VDS）为-20V，最大漏电流（ID）为-40A，适合用于高频开关和电源管理电路。该MOSFET的导通电阻表现优秀（RDS(ON)为16mΩ@VGS=4.5V），确保在高效能下运行时降低能耗和发热。
**详细参数说明：**
- **封装：** TO252
- **配置：** 单P通道
- **VDS：** -20V
- **VGS：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** -0.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 25mΩ（在VGS=2.5V时）
- 16mΩ（在VGS=4.5V时）
- **最大持续漏电流（ID）：** -40A
- **技术：** Trench
**应用领域与模块示例：**
J387-VB广泛应用于开关电源、负载开关以及电机驱动电路等领域。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于电池管理系统、LED驱动电路和消费电子设备，确保在多种应用条件下的高效性和可靠性。**产品简介：**
J387-VB是一款高效能的单P通道MOSFET，采用TO252封装，专为低电压和高电流应用设计。其漏源电压（VDS）为-20V，最大漏电流（ID）为-40A，适合用于高频开关和电源管理电路。该MOSFET的导通电阻表现优秀（RDS(ON)为16mΩ@VGS=4.5V），确保在高效能下运行时降低能耗和发热。
**详细参数说明：**
- **封装：** TO252
- **配置：** 单P通道
- **VDS：** -20V
- **VGS：** ±20V
- **阈值电压（Vth）：** -0.8V
- **导通电阻（RDS(ON)）：**
- 25mΩ（在VGS=2.5V时）
- 16mΩ（在VGS=4.5V时）
- **最大持续漏电流（ID）：** -40A
- **技术：** Trench
**应用领域与模块示例：**
J387-VB广泛应用于开关电源、负载开关以及电机驱动电路等领域。其低导通电阻和高电流能力使其非常适合用于电池管理系统、LED驱动电路和消费电子设备，确保在多种应用条件下的高效性和可靠性。