### 一、ME15N75D-VB 产品简介
ME15N75D-VB 是一款采用 **TO252** 封装的 **单 N 沟道 MOSFET**，具有 **100V 的漏源电压 (VDS)** 和 ±20V 的栅极驱动电压 (VGS)。该器件的 **开启电压 Vth 为 1.8V**，其导通电阻为 **114mΩ** @ VGS = 10V，能够有效降低功耗。ME15N75D-VB 支持 **最大 15A 的连续漏极电流 (ID)**，并采用 **沟槽型 (Trench) 技术**制造，适合于需要高电压和中等电流的应用场景。
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### 二、ME15N75D-VB 详细参数说明
| **参数** | **数值** | **描述** |
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| **封装类型** | TO252 | 表面贴装封装，适合高功率和高电流应用 |
| **MOSFET 配置** | 单 N 沟道 | 单一 N 型通道，适用于高速开关应用 |
| **漏源电压 (VDS)** | 100V | 最大漏极-源极电压，适应中高压电源系统 |
| **栅极电压 (VGS)**| ±20V | 栅极驱动电压范围，提高应用灵活性 |
| **开启电压 (Vth)**| 1.8V | MOSFET 的开启门限电压 |
| **导通电阻 (RDS(ON))**| 114mΩ @ VGS = 10V | 适度导通电阻，减小功耗，提高效率 |
| **最大漏极电流 (ID)**| 15A | 支持中等电流负载应用 |
| **技术** | Trench | 沟槽技术，减少导通损耗与开关损耗 |
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### 三、应用领域与模块示例
1. **DC-DC 转换器**
- ME15N75D-VB 适用于 **DC-DC 转换器** 中，尤其在高电压和中等电流的应用场合，例如在计算机电源和工业电源中，能够有效降低功耗并提高系统的效率。
2. **电源管理系统**
- 在 **电源管理模块** 中，该 MOSFET 可用于开关控制，帮助管理电源的分配与保护，尤其在电池供电设备中，优化电源效率与安全性。
3. **电机驱动**
- 适合用于 **电机驱动系统**，如小型直流电机驱动应用，ME15N75D-VB 能够提供可靠的开关控制，支持高效的电机操作。
4. **LED 驱动电路**
- 该器件可应用于 **LED 驱动电路** 中，控制 LED 照明系统的电流，确保稳定的亮度输出并提高能效，适用于各种照明解决方案。
5. **消费电子产品**
- ME15N75D-VB 在 **消费电子** 领域中广泛应用，如智能家电和便携式设备，通过高效的电源管理和开关控制，提升产品的性能和使用寿命。
ME15N75D-VB 是一款可靠的 MOSFET，凭借其高电压承受能力和中等电流处理能力，广泛应用于电源管理、电机驱动和消费电子等多个领域，适合现代电子设备的高效需求。