### MTD10N10ELT4-VB 产品简介
MTD10N10ELT4-VB 是一款高性能单N通道功率 MOSFET，采用 **TO252 封装**，专为高电压和高电流应用设计。该器件的漏极-源极电压 (**VDS**) 可达 **100V**，栅极-源极电压 (**VGS**) 可达 ±20V，确保其在严苛的工作环境中表现出色。其阈值电压 (**Vth**) 为 **1.8V**，在适当的驱动电压下，能够快速切换并保持低导通电阻 (**RDS(ON)**) 为 **114mΩ**（在 VGS 为 **10V** 时）。凭借其 **Trench 技术**，MTD10N10ELT4-VB 提供了优秀的开关性能和能量效率，广泛应用于各类电源和驱动电路中。
---
### 详细参数说明
| **参数** | **规格** |
|--------------------------|-------------------------------|
| **型号** | MTD10N10ELT4-VB |
| **封装** | TO252 |
| **配置** | 单N通道 |
| **漏极-源极电压 (VDS)** | 100V |
| **栅极-源极电压 (VGS)** | ±20V |
| **阈值电压 (Vth)** | 1.8V |
| **导通电阻 (RDS(ON))** | 114mΩ @ VGS=10V |
| **漏极电流 (ID)** | 15A |
| **技术** | Trench |
---
### 应用领域和模块示例
**MTD10N10ELT4-VB** 在多个领域和模块中表现优异，具体示例如下：
1. **开关电源 (SMPS)**
- 此 MOSFET 适用于开关电源设计，能够实现高效的能量转换和功率管理，减少电源的功耗，提升整体系统效率。
2. **电动机驱动**
- 在电机控制应用中，MTD10N10ELT4-VB 能够高效驱动各种电动机，提供稳定的电流输出，满足高功率应用的需求，适合电动工具和家电等领域。
3. **LED驱动**
- 该器件适用于LED照明应用，能够稳定控制LED的驱动电流，确保亮度均匀并延长LED的使用寿命，广泛用于商业照明和室内照明。
4. **电池管理系统 (BMS)**
- 在电池管理系统中，MTD10N10ELT4-VB 能够优化电池的充放电过程，适用于电动车和储能系统，确保电池的安全性和高效能。
5. **消费电子**
- 此 MOSFET 可用于笔记本电脑、平板电脑等消费电子产品的电源管理模块，提升能效并降低热量产生，增强用户体验。
---
通过其卓越的性能和适用范围，MTD10N10ELT4-VB 成为现代电子设计中不可或缺的组件，广泛应用于各类高效能的电源和驱动系统中。