### **产品简介：MTD14N10ET4G-VB MOSFET**
MTD14N10ET4G-VB是一款**单N通道MOSFET**，采用**TO252封装**，设计用于高效能电源管理与开关应用。这款器件能够承受**100V的漏源电压（VDS）**，并在最大**栅源电压（VGS）为±20V**的条件下稳定工作。其**阈值电压（Vth）为1.8V**，确保在较低的栅电压下能够迅速导通，适应快速开关需求。
该MOSFET的导通电阻（RDS(ON)）在**VGS=10V时为114mΩ**，提供出色的电流通过能力，有助于降低功耗和发热量。**最大漏极电流（ID）为15A**，使其适合处理中等负载电流，满足各种电子应用的需求。结合**沟槽技术**（Trench），该器件提供优良的导通特性和热管理，适用于现代电子设计中的关键元件。
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### **详细参数说明**
| **参数** | **数值** | **说明** |
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| **封装类型** | TO252 | 适合散热和低电感的表面贴装封装 |
| **配置** | Single-N-Channel | 单通道设计，适合多种电源开关应用 |
| **VDS（漏源电压）** | 100V | 适合高电压应用 |
| **VGS（栅源电压）** | ±20V | 最大栅极控制电压 |
| **Vth（阈值电压）** | 1.8V | 开启所需的最小栅极电压 |
| **RDS(ON)@VGS=10V** | 114mΩ | 在10V栅极驱动电压下的导通电阻 |
| **ID（漏极电流）** | 15A | 最大连续漏极电流 |
| **技术** | Trench | 沟槽技术，提高电性能与散热 |
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### **应用领域与模块示例**
1. **开关电源**
MTD14N10ET4G-VB广泛应用于开关电源中，作为主开关元件控制电能的传输。其低导通电阻特性有助于降低功耗，提高电源转换效率，适合于AC-DC和DC-DC转换器。
2. **电池充电管理**
该MOSFET可用于电池充电管理系统中，作为**充电开关**，有效控制电池的充电与放电过程，确保充电过程的安全与高效。
3. **电机驱动**
在电机驱动电路中，MTD14N10ET4G-VB可用作电机的开关控制器，能够实现高效的电机启动和停止，适用于电动工具和自动化设备。
4. **LED驱动**
该MOSFET可用作LED驱动电路中的开关元件，快速开关特性使其能够有效调节LED的亮度，适用于智能照明系统和舞台灯光。
5. **工业控制系统**
在工业自动化中，该MOSFET可以作为负载开关，控制各种设备和传感器的工作状态，广泛应用于PLC控制系统和机器人控制系统。
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MTD14N10ET4G-VB凭借其卓越的性能和多样化的应用领域，成为现代电源管理和开关电路中不可或缺的关键组件。