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微碧半导体VBsemi

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### 一、N310AD-VB 产品简介  
N310AD-VB 是一款采用 TO-252 封装的单N沟道功率MOSFET,专为高效能和高电流应用设计。其最大漏源电压(V\(_{DS}\))为30V,栅源电压(V\(_{GS}\))额定为±20V,适用于各种功率转换和开关电路。门槛电压(V\(_{th}\))为1.7V,具有极低的导通电阻(R\(_{DS(ON)}\)),在4.5V的栅极电压下为6mΩ,而在10V下则降至5mΩ。这些特性使得N310AD-VB在导通时的能量损耗非常低,显著提高了整体系统效率。该MOSFET支持最大连续漏极电流为80A,并采用先进的 Trench 技术,具有更好的开关性能和更低的开关损耗,适合在大电流和高频应用中使用。

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### 二、N310AD-VB 详细参数说明  

| **参数**             | **描述**                   | **值**                   |
|----------------------|----------------------------|--------------------------|
| **封装类型**         | 封装形式                   | TO-252                   |
| **配置**             | 单N沟道                    | 是                       |
| **漏源电压 V\(_{DS}\)** | 最大耐压                   | 30V                      |
| **栅源电压 V\(_{GS}\)** | 最大耐压                   | ±20V                     |
| **门槛电压 V\(_{th}\)** | 打开时的最小栅极电压        | 1.7V                     |
| **导通电阻 R\(_{DS(ON)}\)** | V\(_{GS}\)=4.5V 时 | 6mΩ                      |
|                         | V\(_{GS}\)=10V 时 | 5mΩ                      |
| **最大漏极电流 I\(_D\)** | 连续电流                   | 80A                      |
| **技术类型**          | 制造技术                  | Trench(沟槽型技术)     |

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### 三、N310AD-VB 应用领域和模块示例  

1. **电源管理系统**  
  N310AD-VB 由于其低导通电阻和高电流能力,适合用于各种电源管理模块,如 DC-DC 转换器、负载开关和电源分配网络。特别是在需要高效能和高可靠性的电源应用中表现优异,能够减少功率损耗并提高系统效率。

2. **电动汽车 (EV) 和充电系统**  
  在电动汽车和其充电系统中,N310AD-VB 可作为关键开关元件,处理高电流的充电和放电过程。其优异的性能确保了电动汽车在加速和制动时的电力控制,同时在充电时也能有效管理电能。

3. **LED 驱动电路**  
  此款MOSFET 适合用于 LED 照明系统的驱动电路,尤其是在需要PWM调光和高频切换的应用中。N310AD-VB 的低导通电阻可以帮助减少能量损耗,提高照明效率。

4. **工业自动化设备**  
  在工业自动化中,N310AD-VB 可用于电机驱动和控制模块,保证电机在启停和变速过程中的可靠性。其强大的电流处理能力能够满足工业设备对电源的严格要求。

5. **通信设备电源模块**  
  在通信设备如基站和交换机中,N310AD-VB 可作为电源开关,提供稳定的电力支持。由于其低损耗特性,能够保证通信设备在高负荷情况下的可靠性和稳定性。

N310AD-VB 是一款高效能、高可靠性的MOSFET,凭借其 TO-252 封装和80A 的电流处理能力,适用于广泛的应用领域,包括电源管理、电动汽车、LED 驱动和工业自动化等。其出色的性能使其成为现代电子设计中的理想选择。

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