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微碧半导体VBsemi

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## 一、NCE0224KA-VB MOSFET 产品简介  
NCE0224KA-VB 是一款采用 **TO252** 封装的 **单N沟道 MOSFET**,专为高压和高电流应用设计,具有优越的性能和可靠性。其最大漏源电压(V\(_{DS}\))为 200V,栅源电压(V\(_{GS}\))为 ±20V,适合在多种严苛的电气环境中工作。阈值电压(V\(_{th}\))为 3V,确保器件能够在较高的开启电压下稳定运行。在 V\(_{GS}\) = 10V 条件下,其导通电阻(R\(_{DS(ON)}\))为 55mΩ,支持高达 30A 的持续漏极电流。采用 **Trench** 沟槽型技术,NCE0224KA-VB 具有低功耗特性,是工业自动化、功率转换和电源管理等领域的理想选择。

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## 二、NCE0224KA-VB 的详细参数说明  

| **参数**              | **值**                   | **说明**                                         |
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| **封装**               | TO252                    | 适合高功率和高压应用的小型封装                  |
| **配置**               | 单N沟道                  | 提供高效的电流开关控制                          |
| **V\(_{DS}\)**         | 200V                     | 支持高电压应用                                  |
| **V\(_{GS}\)**         | ±20V                     | 栅极耐压高,适应复杂的电气环境                  |
| **阈值电压 (V\(_{th}\))** | 3V                 | 确保器件在适当电压下正常开启                    |
| **R\(_{DS(ON)}\)**     | 55mΩ @ V\(_{GS}\) = 10V  | 低导通电阻,有助于减少功耗                      |
| **最大漏极电流 (I\(_{D}\))** | 30A              | 可驱动高功率负载                                |
| **技术**               | Trench 沟槽型            | 提供高效能和高可靠性的解决方案                  |

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## 三、NCE0224KA-VB 适用领域和模块举例  

1. **电源管理与转换**  
  NCE0224KA-VB 可广泛应用于 **开关电源** 和 **DC-DC 转换器** 中,作为电源开关元件,帮助提高能效,减少待机损耗。

2. **工业自动化控制系统**  
  在 **工业自动化** 中,该 MOSFET 可用于驱动 **电机控制** 和 **电磁阀**,提高系统的响应速度和功率效率,确保设备的稳定运行。

3. **电池管理系统(BMS)**  
  NCE0224KA-VB 可用于 **锂电池管理** 和 **电池保护电路**,有效监控电池的充电和放电过程,避免过充和过放,从而延长电池寿命。

4. **LED 照明驱动**  
  在 **LED 照明** 应用中,NCE0224KA-VB 可用作 **驱动电路**,实现对 LED 的精准控制,降低功耗,并提升光源效率。

5. **消费电子产品**  
  该器件也适用于各种 **消费电子产品** 的电源管理,特别是在高功率要求的设备中,如电视机、音响系统和便携式设备等。

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NCE0224KA-VB 凭借其 **200V 的高耐压能力** 和 **30A 的高电流驱动能力**,在多个应用领域展现了出色的性能和可靠性。其小型封装使其成为空间受限电路中的理想选择,广泛应用于 **电源管理、电池管理、工业控制、LED 驱动以及消费电子** 等领域。

--- 数据手册 ---