### 产品简介
NCE5055K-VB是一款高性能的单N通道MOSFET，采用TO252封装，专为高电压和中等电流应用而设计。其额定VDS为60V，VGS可达到±20V，提供优秀的导通性能。该器件的导通电阻RDS(ON)为13mΩ@VGS=4.5V和10mΩ@VGS=10V，最大漏电流ID为58A，采用Trench技术，确保高效率和低热耗散，非常适合各种电源管理和转换应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 60V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 13mΩ@VGS=4.5V
- 10mΩ@VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 58A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块
NCE5055K-VB广泛应用于电源管理模块、DC-DC转换器和电动机驱动电路。在消费电子、工业自动化和电动汽车等领域，这款MOSFET以其高电压承受能力和低导通电阻，能够有效提升电源系统的效率和稳定性。此外，在太阳能逆变器和高效能电源供应器中，NCE5055K-VB也能提供可靠的性能，满足各种能源转换需求。