### 产品简介
NP55N055SUG-E1-AY-VB是一款高性能单N通道MOSFET，采用TO252封装，设计用于高电压和高电流应用。其漏源电压（VDS）可达60V，低导通电阻使其在高效能和低功耗电路中表现出色，特别适合需要节省空间的应用。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单N通道
- **漏源电压（VDS）**：60V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 13mΩ @ VGS = 4.5V
- 10mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流（ID）**：58A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块
NP55N055SUG-E1-AY-VB广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、逆变器以及电动机驱动等多个领域。其低导通电阻特性使其在高频开关电源中尤为有效，能够提高整体能效并降低发热。此外，该MOSFET在消费电子、汽车电子和工业自动化模块中也有广泛的应用，以确保高负载下的稳定性与可靠性。