### 产品简介
NP90N04VLG-E1-AY-VB是一款高效能单N通道MOSFET，采用TO252封装，设计用于中等电压和高电流应用。该器件具有40V的漏源电压（VDS），结合超低导通电阻，适合在要求高效率和低功耗的电路中使用，特别是在高负载和高频环境中表现优异。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单N通道
- **漏源电压（VDS）**：40V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 6mΩ @ VGS = 4.5V
- 5mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流（ID）**：85A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块
NP90N04VLG-E1-AY-VB广泛应用于电源管理、DC-DC转换器、电动机驱动以及逆变器等领域。其低导通电阻特性使其在高频开关电源中表现出色，能够显著提高系统的能效并减少热量产生。此外，该MOSFET也适用于消费电子、汽车电子及工业控制模块，确保在高负载条件下的稳定性和可靠性。