### 产品简介
NTD25P03LRLG-VB是一款高效的P沟道MOSFET，采用TO252封装，专为需要低导通电阻和高电流承载能力的应用而设计。其优化的Trench技术使其在开关性能和热管理方面表现卓越，适合各种电源管理和驱动应用。
### 详细参数说明
- **配置**: 单个P沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: -30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: -1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 46mΩ（VGS=4.5V），33mΩ（VGS=10V）
- **最大漏电流 (ID)**: -38A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
NTD25P03LRLG-VB广泛应用于电源开关、电动机控制和负载驱动等领域。在消费电子产品（如音频设备和家电）、汽车电子和工业控制系统中，凭借其低损耗和高可靠性，有效提升了设备的整体性能和能效。