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微碧半导体VBsemi

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--- 产品详情 ---

### 产品简介

**NTD3055-094T4G-VB**是一款高效能的单N通道MOSFET,采用TO252封装,专为高电压和高电流应用设计。其额定漏源电压为60V,具有优异的导通电阻特性,使其在电源管理和开关应用中表现出色。该器件使用Trench技术,能够提供快速的开关速度和低能耗,满足现代电子设备对效率和性能的需求。

### 详细参数说明

- **型号**: NTD3055-094T4G-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单N通道
- **漏源电压(VDS)**: 60V
- **栅源电压(VGS)**: ±20V
- **阈值电压(Vth)**: 1.7V
- **导通电阻(RDS(ON))**:
 - 85mΩ @ VGS = 4.5V
 - 73mΩ @ VGS = 10V
- **最大漏电流(ID)**: 18A
- **技术**: Trench技术

### 应用领域和模块示例

1. **电源管理**:
  - NTD3055-094T4G-VB可用于高效的开关电源和电源转换器中,其低导通电阻能够显著提升能效,适合高负载应用。

2. **电动交通工具**:
  - 在电动汽车和电动自行车的电机控制系统中,该MOSFET作为开关元件,提供高效的电流控制,实现快速启停和稳定性能。

3. **LED驱动**:
  - 该器件适用于LED驱动电路,有效调节LED的电流,确保稳定的亮度输出,适合各种照明应用。

4. **DC-DC转换器**:
  - NTD3055-094T4G-VB可作为DC-DC转换器中的主开关,支持高转换效率,适用于便携式设备和电池供电系统。

5. **消费电子产品**:
  - 在智能家居设备和消费电子产品中,该MOSFET可以优化电源管理,提高设备的整体能效和续航能力。

凭借其卓越的性能和广泛的适用性,NTD3055-094T4G-VB成为现代电子设计中的理想选择。

--- 数据手册 ---