### 产品简介
NTD4808NT4G-VB是一款高效能的N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为高电流和低导通电阻应用设计。该MOSFET采用先进的Trench技术，能够在高频和高功率条件下提供卓越的性能，适合电源管理和开关电源等多种应用。
### 详细参数说明
- **配置**: 单个N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 6mΩ（VGS=4.5V），5mΩ（VGS=10V）
- **最大漏电流 (ID)**: 80A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
NTD4808NT4G-VB广泛应用于电源转换器、DC-DC变换器和电动机驱动等领域。在消费电子（如智能手机和笔记本电脑）、汽车电子（如电池管理系统）和工业自动化设备中，凭借其高导电性和出色的热管理能力，能够有效提高系统效率和稳定性，满足现代电气应用的需求。