### 产品简介
NTD4810NHT4G是一款高性能的N沟道MOSFET，采用TO252封装，适用于高效率开关应用。其具有超低的导通电阻（RDS(ON)），可在较低的电压下实现高电流传导，适合各种电源管理和驱动电路。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: 单极N沟道
- **VDS**: 30V
- **VGS**: ±20V
- **阈值电压（Vth）**: 1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**: 6mΩ（VGS=4.5V）；5mΩ（VGS=10V）
- **最大漏电流（ID）**: 80A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域和模块
NTD4810NHT4G广泛应用于电源管理系统，如开关电源和DC-DC转换器，其低导通电阻确保高效能。同时，适合电动工具和电动车辆的驱动电路，为高电流传导提供可靠性。此外，该MOSFET也常用于高频开关应用，如LED驱动和音频放大器中，以实现高效能和稳定性。