### 产品简介
NTD4813NT4G-VB是一款高效的N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为高电流和高效能应用设计。其先进的Trench技术使其在高频开关和电源管理中表现卓越，能够有效降低导通损耗，提升系统的整体能效。
### 详细参数说明
- **配置**: 单个N沟道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**: 9mΩ（VGS=4.5V），7mΩ（VGS=10V）
- **最大漏电流 (ID)**: 70A
- **技术**: Trench技术
### 应用领域
NTD4813NT4G-VB广泛应用于电源转换器、DC-DC变换器和电动机驱动等领域。在消费电子（如智能手机和平板电脑）、汽车电子（如电池管理和驱动系统）以及工业设备中，凭借其低导通电阻和高可靠性，有效提高了系统的能效和稳定性，满足了现代电气应用的需求。