### 产品简介
NTD4960NT4G-VB是一款高效能单N通道MOSFET，采用TO252封装，专为电源管理和开关应用设计。该器件具有优异的导通电阻和高电流处理能力，适用于要求严格的应用场合。其采用的Trench技术使得NTD4960NT4G-VB在高频和高效率运行方面表现出色，适合各种电力电子设备。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单N通道
- **漏源电压（VDS）**：30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流（ID）**：80A
- **技术**：Trench
### 适用领域和模块示例
NTD4960NT4G-VB广泛应用于电源管理、DC-DC转换器和电机驱动器等领域。其低导通电阻特性使其在电源开关应用中可以有效降低能量损耗，提高系统的整体效率。此外，该MOSFET也适用于电池管理系统、高频开关电路及其他需要快速开关性能的电子设备，能够满足现代电子产品对高性能和高效率的要求。