### 产品简介
NTD50N03RG-VB是一款高效能N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为高电流和中等电压应用而设计。其低导通电阻和优良的散热性能使其在电源转换和开关应用中表现突出，能够满足严苛的性能要求。
### 详细参数说明
- **封装类型**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **漏极源极电压（VDS）**：30V
- **栅源电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 4.5V时：6mΩ
- 10V时：5mΩ
- **最大漏极电流（ID）**：80A
- **技术**：Trench
### 应用领域和模块
NTD50N03RG-VB广泛应用于电源管理系统，如DC-DC转换器和电池管理模块，以其低导通电阻和高效能为特点。此外，该MOSFET也适用于电机控制、负载开关及其他需要高电流驱动的应用，确保高效和可靠的性能。