### 产品简介
NTD85N02R-VB是一款高效的N沟道MOSFET，采用TO252封装，设计用于低电压和高电流应用。其最大漏源电压为20V，能够在高达100A的电流条件下稳定运行。凭借其超低导通电阻，NTD85N02R-VB非常适合高效电源管理和开关应用，能够显著提高系统性能并降低功耗。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单个N沟道
- **VDS**：20V
- **VGS**：±20V
- **Vth**：0.5V ~ 1.5V
- **RDS(ON)**：
- 6mΩ（VGS=2.5V）
- 4.5mΩ（VGS=4.5V）
- **ID**：100A
- **技术**：Trench技术
### 应用领域和模块示例
NTD85N02R-VB广泛应用于多个领域，包括：
1. **电源管理**：在高效开关电源和DC-DC转换器中作为开关元件，优化能效，降低能耗，适用于便携式设备和电池供电的应用。
2. **电动驱动**：在电动汽车和电机控制系统中，提供高效的电机驱动解决方案，实现电机的快速启动和高效运行。
3. **消费电子**：在各种消费电子产品中，用作负载开关和电源管理模块，提高设备的整体可靠性和能效。