### 产品简介
NTD95N02-001-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为高效能应用设计。其低RDS(ON)特性确保在开关操作时具有优异的导通性能，适用于各种电源管理和驱动电路。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：Single-N-Channel
- **VDS**：20V
- **VGS**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：0.5V ~ 1.5V
- **RDS(ON)**：6mΩ（@VGS=2.5V），4.5mΩ（@VGS=4.5V）
- **ID**：100A
- **技术**：Trench技术
### 应用领域和模块
NTD95N02-001-VB广泛应用于电源开关、直流-直流转换器和电池管理系统等领域。其低导通电阻使其在高电流负载下表现出色，适合用于电动汽车的电机驱动和电源分配模块。同时，该MOSFET也可以在消费电子产品和工业设备中找到应用，提供高效能和可靠性。