### NTD95N02RG-VB 产品简介
NTD95N02RG-VB 是一款高性能的单极 N 通道 MOSFET，采用 TO252 封装，适合高电流应用。该器件的最大漏源电压（VDS）为 20V，具有极低的导通电阻（RDS(ON)），在 VGS 为 2.5V 时为 6mΩ，在 VGS 为 4.5V 时为 4.5mΩ。这使得它在电源管理和电机驱动等领域表现出色。该 MOSFET 的阈值电压（Vth）范围为 0.5V 至 1.5V，支持高达 100A 的连续电流（ID），适用于高效能和紧凑型设计。
### 详细参数说明
- **型号**: NTD95N02RG-VB
- **封装**: TO252
- **配置**: 单极 N 通道
- **最大漏源电压 (VDS)**: 20V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 0.5V ~ 1.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS = 2.5V
- 4.5mΩ @ VGS = 4.5V
- **最大连续漏电流 (ID)**: 100A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块
1. **电源管理**:
- 在电源转换器中，NTD95N02RG-VB 可以作为开关元件使用，提供高效率和低功耗，适合 DC-DC 转换器和电池管理系统。
2. **电机驱动**:
- 由于其高电流处理能力和低导通电阻，该 MOSFET 在电机驱动应用中表现出色，适合用于电动机控制和驱动电路。
3. **LED 驱动**:
- 该器件能够有效控制 LED 照明的电流，确保高亮度和低热量输出，非常适合用于 LED 驱动电路。
4. **功率放大器**:
- 在 RF 和音频应用中，NTD95N02RG-VB 可用于功率放大器电路，提供高效能和稳定的输出。
5. **汽车电子**:
- 该 MOSFET 适用于汽车电源管理和控制模块，能够承受严苛的工作环境。
通过以上的介绍和参数说明，可以看出 NTD95N02RG-VB 是一款在多个高效能应用中都非常有价值的 MOSFET 选择。