### 产品简介
NTDV5804NT4G-VB是一款高性能的N沟道MOSFET，采用TO252封装，适合多种电源管理和开关应用。它的特点包括低导通电阻和高电流承载能力，能有效降低功耗，提高系统效率。
### 详细参数说明
- **型号**：NTDV5804NT4G-VB
- **封装**：TO252
- **配置**：单N通道
- **漏极-源极电压（VDS）**：40V
- **栅极-源极电压（VGS）**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：2.5V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流（ID）**：85A
- **技术**：Trench技术
### 适用领域和模块
NTDV5804NT4G-VB广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、马达驱动和电池管理系统。它的低导通电阻使其特别适合于高效能的电源设计，同时在消费电子、汽车电子和工业控制模块中也表现出色。