### 产品简介
NVD14N03RT4G是一款高效能的N-Channel MOSFET，封装为TO252，具备30V的漏源电压（VDS）和优异的导通电阻，特别适用于高电流和高效能的电源管理应用。该MOSFET的设计旨在提供出色的性能和可靠性，适合多种电子设备和系统。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 9mΩ @ VGS=4.5V
- 7mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 70A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块
NVD14N03RT4G广泛应用于电源管理、DC-DC变换器、电动工具和汽车电子等领域。其低导通电阻和高电流能力使其在高效能的开关电源设计中表现卓越，能够有效降低能量损耗。在电动工具中，它可用于电机驱动和控制，提高设备的效率和性能。同时，TO252封装设计使其在空间受限的应用中提供了便利，满足现代电子设备的需求。