### 产品简介
NVD4806NT4G-VB是一款高效单N沟道MOSFET，采用TO252封装，专为高功率应用设计。其额定VDS为30V，结合优异的导通性能和极低的导通电阻，使其在多种电源管理和开关应用中表现出色，能够在高负载条件下稳定运行。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单N沟道
- **VDS**：30V
- **VGS**：±20V
- **阈值电压（Vth）**：1.7V
- **导通电阻（RDS(ON)）**：
- 3mΩ @ VGS=4.5V
- 2mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流（ID）**：100A
- **技术**：Trench
### 应用领域与模块
NVD4806NT4G-VB广泛应用于电源管理模块、DC-DC转换器和电动工具的驱动电路。其极低的导通电阻使其非常适合于高效能开关电源，显著降低能量损耗。在电动汽车和可再生能源系统中，该MOSFET能够支持高电流操作，提高整体系统的效率和可靠性。此外，在工业自动化和智能家居设备中，也能提供稳定的功率控制和快速响应，优化设备的性能。