### 产品简介
NVD4808NT4G是一款高效能的N-Channel MOSFET，封装为TO252，具有30V的漏源电压（VDS）和极低的导通电阻，专为高电流应用设计。这款MOSFET提供卓越的性能和稳定性，非常适合电源管理和开关电源领域。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 30V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 1.7V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 6mΩ @ VGS=4.5V
- 5mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 80A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块
NVD4808NT4G广泛应用于电源管理、DC-DC变换器和电动工具等多个领域。其极低的导通电阻使其在高效率开关电源设计中表现出色，有效降低能量损耗。在电动工具中，能够提供强劲的电机驱动，提升整体性能。此外，TO252封装设计为其在空间有限的应用中提供了良好的解决方案，适合现代电子产品的需求。