### 产品简介
NVD5807NT4G是一款高效的N-Channel MOSFET，封装为TO252，具备40V的漏源电压（VDS）和低导通电阻，专为高电流应用设计。这款MOSFET以其稳定的性能和可靠性，广泛应用于电源管理和开关电源领域。
### 详细参数说明
- **封装**: TO252
- **配置**: Single-N-Channel
- **漏源电压 (VDS)**: 40V
- **栅源电压 (VGS)**: ±20V
- **阈值电压 (Vth)**: 2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**:
- 14mΩ @ VGS=4.5V
- 12mΩ @ VGS=10V
- **最大漏电流 (ID)**: 55A
- **技术**: Trench
### 应用领域与模块
NVD5807NT4G广泛应用于电源管理、DC-DC变换器以及汽车电子等领域。其低导通电阻使其在高效能开关电源设计中表现优异，有效降低能量损耗。在汽车电子中，这款MOSFET可用于电机驱动和动力管理系统，提高整体效率和响应速度。此外，TO252封装设计使其在空间受限的应用中也能轻松适配，满足现代电子设备的需求。