### NVD5865NLT4G-VB 产品简介
NVD5865NLT4G-VB是一款高效能单N通道MOSFET，采用TO252封装，设计用于高电压和高电流应用。该器件具备低导通电阻和优越的热性能，非常适合在各种电源管理和开关电路中使用，以提升系统的整体效率和可靠性。
### 详细参数说明
- **封装**：TO252
- **配置**：单N通道
- **VDS**：60V
- **VGS**：±20V
- **阈值电压 (Vth)**：2.5V
- **导通电阻 (RDS(ON))**：
- 13mΩ @ VGS=4.5V
- 10mΩ @ VGS=10V
- **最大漏极电流 (ID)**：58A
- **技术**：Trench
### 应用领域与模块
NVD5865NLT4G-VB广泛应用于电源转换器、DC-DC变换器和电机驱动模块。它适合用于高效电源适配器、LED驱动器以及智能电源管理系统等设备，能够显著提高整体系统的效率，并有效降低热量生成。这款MOSFET在电力电子、消费电子和工业自动化等领域中都提供了可靠的开关性能和长期稳定性。